美国国家半导体公司(National Semiconductor Corporation)近日推出两款属于高压功率控制集成电路系列的最新产品，分别是LM5111双通道门极驱动器及LM5112单通道门极驱动器。新产品适合驱动大型功率金属氧化半导体场效应晶体管(MOSFET)，以及用于交流/直流与直流/直流转换器、马达驱动系统及工业控制系统。
采用小型LLP-6封装(3×3mm)的LM5112芯片与国半的LM5000系列脉冲宽度调制控制器及LM510x系列半桥式驱动器组合，构成高性能直流/直流转换器芯片组。
LM5112芯片采用国半的高压模拟Bi CMOS-DMOS (ABCD)技术制造，其复合式输出驱动级内含金属氧化半导体(MOS)及双极晶体管，而且两者可以并行操作。此芯片还可以电容负载超过7A的峰值电流，并且以高达1MHz的频率驱动较大的功率MOSFET。LM5112芯片也为输入及输出级提供独立的接地及参考电压管脚，以便支持采用分开供电设计的门极驱动配置。这款芯片设有双逻辑电路接口，可以接收反相或非反相的信号，并与市场上绝大部分控制器及微处理器相匹配。
LM5111芯片设有两个可输出足5A峰值电流的驱动器，由于采用SOIC-8封装，可直接取替许多旧式的CMOS门极驱动解决方案。LM5111芯片的峰值输出电流达5A。在正常操作情况下，LM5111的两条5A峰值电流驱动通道均各自独立，但若有需要，这两条通道可与输入及输出端并行连接，将峰值输出驱动电流提高一倍至10A。LM5111 芯片分别有可各自接收三种不同的输入信号的三种型号可供选择。
上述两款芯片以1,000颗为采购单位，LM5111芯片每颗售0.65美元，而LM5112则为0.55美元，以上价格仅供参考。两款芯片都有现货供应。
