国际整流器公司(International Rectifier，简称IR)为中等功率的D类音频放大器推出IRF6665 DirectFET MOSFET。此款设计有助于改进音频器件的效率、总谐波失真(THD)、功率密度等性能，可用于从电池驱动的便携式产品到高端的专业级放大器，从乐器到汽车和家庭多媒体系统。
在针对应用专门优化的硅片上，IR的DirectFET封装技术通过降低引线电感提高了D类音频放大器的性能，进而改善开关性能、降低电磁噪声。由于效率提升，无需散热器即可在8Ω阻抗上运行100W功率。无需使用散热器，因此减少了电路面积和体积。
IRF6665 D类音频DirectFET MOSFET的BVDSS为100V；10V时典型RDS(on)值为51mΩ；25℃时ID为19A；典型QG为8nC；典型QSW为3.5nC。IRF6665 D类音频DirectFET MOSFET现已供货，10,000订量，单价为52美分(仅供参考)。
